UF4C120070B7SSR onsemi | FET simples, MOSFETs

UF4C120070B7SSR
Número de produto da DigiKey	5556-UF4C120070B7SSR-ND
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	UF4C120070B7SSR
Descrição	1200V/70MO,SICFET,G4,TO263-7
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 25,7A (Tj) 183W (Tc) Montagem em superfície D2PAK-7L
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Granel
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (Cascode SiCJFET)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	25,7A (Tj)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	12V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	91mOhm a 20A, 12V
Vgs(th) (máx.) para Id	6V a 10mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	37.8 nC @ 15 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1370 pF @ 800 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	183W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	D2PAK-7L
Pacote / Invólucro	TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA
Número base de produto	UF4C120070B7

UF4C120070B7SSR