Name: RFD14N05LSM9A
Brand: onsemi
SKU: RFD14N05LSM9ATR-ND
Price: 1.2 USD
Availability: InStock

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RFD14N05LSM9A
Número de produto da DigiKey	RFD14N05LSM9ATR-ND - Fita e carretel (TR) RFD14N05LSM9ACT-ND - Fita cortada (CT) RFD14N05LSM9ADKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	RFD14N05LSM9A
Descrição	MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 50 V 14A (Tc) 48W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	50 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	14A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	100mOhm a 14A, 5V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	670 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	48W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252AA
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	RFD14N05