NTTFS6H888NTAG onsemi | FET simples, MOSFETs

NTTFS6H888NTAG
Número de produto da DigiKey	488-NTTFS6H888NTAGCT-ND - Fita cortada (CT) 488-NTTFS6H888NTAGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTTFS6H888NTAG
Descrição	T8 80V U8FL
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 4,7A (Ta), 12A (Tc) 2,9W (Ta), 18W (Tc) Montagem em superfície 8-WDFN (3,3x3,3)
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	4,7A (Ta), 12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	55mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 15µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	4.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	220 pF @ 40 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,9W (Ta), 18W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-WDFN (3,3x3,3)
Pacote / Invólucro	PowerWDFN-8
Número base de produto	NTTFS6

NTTFS6H888NTAG