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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
NXV08A170DB2 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 488-NXV08A170DB2-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | NXV08A170DB2 |
Descrição | MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA |
Tempo de espera previsto do fabricante | 45 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 80V 200A (Tj) Furo passante APM12-CBA |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | onsemi | |
Séries | - | |
Embalagem | Bandeja | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) | |
Configuração | 2 canais N (meia ponte) | |
Característica FET | - | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 80V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 200A (Tj) | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 0,99mOhm a 80A, 10V, 1,35mOhm a 80A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 195nC a 10V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 14000pF a 40V | |
Potência - Máx. | - | |
Temperatura de operação | 175°C (TJ) | |
Grau | Automotivo | |
Qualificação | AEC-Q100 | |
Tipo de montagem | Furo passante | |
Pacote / Invólucro | Módulo 12-PowerDIP (1,118", 28,40mm) | |
Invólucro do dispositivo fornecido | APM12-CBA |
Em estoque: 230
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Bandeja
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 19,93000 | $ 19,93 |
| 10 | $ 14,27100 | $ 142,71 |
| 288 | $ 11,25000 | $ 3.240,00 |
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