
NXV08A170DB2 | |
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Número de produto da DigiKey | 488-NXV08A170DB2-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | NXV08A170DB2 |
Descrição | MOSFET 2N-CH 80V 200A APM12-CBA |
Tempo de espera previsto do fabricante | 33 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 80V 200A (Tj) Furo passante APM12-CBA |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante onsemi | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 195nC a 10V |
Embalagem Bandeja | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 14000pF a 40V |
Part Status Ativo | Temperatura de operação 175°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (óxido metálico) | Grau Automotivo |
Configuração 2 canais N (meia ponte) | Qualificação AEC-Q100 |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80V | Tipo de montagem Furo passante |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 200A (Tj) | Pacote / Invólucro Módulo 12-PowerDIP (1,118", 28,40mm) |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 0,99mOhm a 80A, 10V, 1,35mOhm a 80A, 10V | Invólucro do dispositivo fornecido APM12-CBA |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 20,93000 | $ 20,93 |
| 10 | $ 15,03000 | $ 150,30 |
| 288 | $ 11,97538 | $ 3.448,91 |


