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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
NXH015F120M3F1PTG | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 488-NXH015F120M3F1PTG-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | NXH015F120M3F1PTG |
Descrição | SILICON CARBIDE (SIC) MODULE ELI |
Tempo de espera previsto do fabricante | 22 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 77A (Tc) 198W (Tj) Montagem em chassis 22-PIM (33,8x42,5) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | onsemi | |
Séries | - | |
Embalagem | Bandeja | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | Carboneto de silício (SiC) | |
Configuração | 4 canais N (ponte completa) | |
Característica FET | Modo de Depleção | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 77A (Tc) | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 19mOhm a 60A, 18V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4,4V a 30mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 211nC a 18V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 4696pF a 800V | |
Potência - Máx. | 198W (Tj) | |
Temperatura de operação | -40°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Pacote / Invólucro | Módulo | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 22-PIM (33,8x42,5) | |
Número base de produto |
Em estoque: 11
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Bandeja
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 68,07000 | $ 68,07 |
| 28 | $ 52,00000 | $ 1.456,00 |
Brasil