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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
NXH004P120M3F2PTNG | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 5556-NXH004P120M3F2PTNG-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | NXH004P120M3F2PTNG |
Descrição | MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM |
Tempo de espera previsto do fabricante | 24 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 338A (Tj) 1100W (Tj) Montagem em chassis 36-PIM (56,7x62,8) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | onsemi | |
Séries | - | |
Embalagem | Bandeja | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | Carboneto de silício (SiC) | |
Configuração | 2 canais N (meia ponte) | |
Característica FET | - | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 338A (Tj) | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 5,5mOhm para 200A, 18V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4,4V a 120mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 876nC a 20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 16410pF a 800V | |
Potência - Máx. | 1100W (Tj) | |
Temperatura de operação | -40°C a 175°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Pacote / Invólucro | Módulo | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 36-PIM (56,7x62,8) | |
Número base de produto |
Em estoque: 26
Estoque de fábrica: 11.280
Verifique se há estoque adicional de entrada
Quantidade
Todos os preços estão em USD
Bandeja
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 200,51000 | $ 200,51 |
| 20 | $ 187,81750 | $ 3.756,35 |
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