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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
NVXK2TR80WDT | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 5556-NVXK2TR80WDT-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | NVXK2TR80WDT |
Descrição | MOSFET 4N-CH 1200V 20A APM32 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 14 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 20A (Tc) 82W (Tc) Furo passante APM32 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | onsemi | |
Séries | - | |
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | Carboneto de silício (SiC) | |
Configuração | 4 canais N (meia ponte) | |
Característica FET | - | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 20A (Tc) | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 116mOhm a 20A, 20V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4,3V a 5mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 56nC a 20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 1154pF a 800V | |
Potência - Máx. | 82W (Tc) | |
Temperatura de operação | -40°C a 175°C (TJ) | |
Grau | Automotivo | |
Qualificação | AEC-Q101 | |
Tipo de montagem | Furo passante | |
Pacote / Invólucro | Módulo 32-PowerDIP (1,311", 33,30mm) | |
Invólucro do dispositivo fornecido | APM32 |
Em estoque: 60
Estoque de fábrica: 180
Verifique se há estoque adicional de entrada
Quantidade
Todos os preços estão em USD
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 46,85000 | $ 46,85 |
| 60 | $ 32,91067 | $ 1.974,64 |
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