NVNJWS1K6N061LTAG onsemi | FET simples, MOSFETs

NVNJWS1K6N061LTAG
Número de produto da DigiKey	488-NVNJWS1K6N061LTAG-ND
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NVNJWS1K6N061LTAG
Descrição	MOSFET - POWER, N-CHANNEL WITH E
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 632mA (Ta), 853mA (Tc) 1,437W (Ta), 2,617W (Tc) Montagem em superfície, flanco impregnável 3-XDFNW (1x1)
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Granel
Part Status	Descontinuado na DigiKey
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	632mA (Ta), 853mA (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,6Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	26 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,437W (Ta), 2,617W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície, flanco impregnável
Invólucro do dispositivo fornecido	3-XDFNW (1x1)
Pacote / Invólucro	3-XFDFN

NVNJWS1K6N061LTAG