Name: NVMFS6H801NWFT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS6H801NWFT1GTR-ND
Price: 3.48 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

NVMFS6H801NWFT1G
Número de produto da DigiKey	488-NVMFS6H801NWFT1GTR-ND - Fita e carretel (TR) 488-NVMFS6H801NWFT1GCT-ND - Fita cortada (CT) 488-NVMFS6H801NWFT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NVMFS6H801NWFT1G
Descrição	MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Tempo de espera previsto do fabricante	19 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 23A (Ta), 157A (Tc) 3,8W (Ta), 166W (Tc) Montagem em superfície, flanco impregnável 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	23A (Ta), 157A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,8mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4120 pF @ 40 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,8W (Ta), 166W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície, flanco impregnável
Invólucro do dispositivo fornecido	5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8, 5 condutores
Número base de produto	NVMFS6