Name: NVMFS6H800NT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS6H800NT1GOSTR-ND
Price: 6.37 USD
Availability: InStock

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NVMFS6H800NT1G
Número de produto da DigiKey	NVMFS6H800NT1GOSTR-ND - Fita e carretel (TR) NVMFS6H800NT1GOSCT-ND - Fita cortada (CT) NVMFS6H800NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NVMFS6H800NT1G
Descrição	MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
Tempo de espera previsto do fabricante	23 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 28A (Ta), 203A (Tc) 3,8W (Ta), 200W (Tc) Montagem em superfície 5-DFN (5x6) (SOFL-8)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 85 nC @ 10 V
Fabricante onsemi	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 5530 pF @ 40 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3,8W (Ta), 200W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Grau Automotivo
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Qualificação AEC-Q101
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 28A (Ta), 203A (Tc)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Invólucro do dispositivo fornecido 5-DFN (5x6) (SOFL-8)
Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,1mOhm a 50A, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8, 5 condutores
Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 330µA	Número base de produto NVMFS6