Name: NVMFS5C612NLAFT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS5C612NLAFT1GTR-ND
Price: 5.11 USD
Availability: InStock

Novo produto

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NVMFS5C612NLAFT1G
Número de produto da DigiKey	488-NVMFS5C612NLAFT1GTR-ND - Fita e carretel (TR) 488-NVMFS5C612NLAFT1GCT-ND - Fita cortada (CT) 488-NVMFS5C612NLAFT1GDKR-ND
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NVMFS5C612NLAFT1G
Descrição	NFET SO8FL 60V
Tempo de espera previsto do fabricante	50 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 38A (Ta), 250A (Tc) 3,8W (Ta), 167W (Tc) Montagem em superfície 5-DFN (5x6) (SOFL-8)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 91 nC @ 10 V
Fabricante onsemi	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 6660 pF @ 25 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 3,8W (Ta), 167W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Grau Automotivo
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 38A (Ta), 250A (Tc)	Qualificação AEC-Q101
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,5mOhm a 50A, 10V	Invólucro do dispositivo fornecido 5-DFN (5x6) (SOFL-8)
Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 250µA	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8, 5 condutores

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Quantidade	Preço unitário	Preço total
1.500	$ 1,72175	$ 2.582,62

Embalagem padrão do fabricante

488-NVMFS5C612NLAFT1GDKR-ND

NVMFS5C612NLAFT1G