NVMFS5830NLWFT1G onsemi | Produtos semicondutores discretos

NVMFS5830NLWFT1G
Número de produto da DigiKey	NVMFS5830NLWFT1G-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NVMFS5830NLWFT1G
Descrição	MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 29A (Ta) 3,8W (Ta), 158W (Tc) Montagem em superfície 5-DFN (5x6) (SOFL-8)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NVMFS5830NLWFT1G Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR)
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	29A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,3mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	113 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	5880 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,8W (Ta), 158W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	5-DFN (5x6) (SOFL-8)
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8, 5 condutores
Número base de produto	NVMFS5

NVMFS5830NLWFT1G