Name: NVMFD027N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFD027N10MCLT1GTR-ND
Price: 2.01 USD
Availability: InStock

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NVMFD027N10MCLT1G
Número de produto da DigiKey	488-NVMFD027N10MCLT1GTR-ND - Fita e carretel (TR) 488-NVMFD027N10MCLT1GCT-ND - Fita cortada (CT) 488-NVMFD027N10MCLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NVMFD027N10MCLT1G
Descrição	MOSFET 2N-CH 100V 7.4A 8DFN
Tempo de espera previsto do fabricante	22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 100V 7,4A (Ta), 28A (Tc) 3,1W (Ta), 46W (Tc) Montagem em superfície 8-DFN (5x6) bandeira dupla (SO8FL dupla)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	2 canais N (duplo)
Característica FET	-
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	7,4A (Ta), 28A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	26mOhm a 7A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 38µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	11nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	720pF a 50V
Potência - Máx.	3,1W (Ta), 46W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Invólucro do dispositivo fornecido	8-DFN (5x6) bandeira dupla (SO8FL dupla)