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NVMD6P02R2G está obsoleto e não é mais fabricado.
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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
NVMD6P02R2G | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | NVMD6P02R2G-ND - Fita e carretel (TR) |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | NVMD6P02R2G |
Descrição | MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 20V 4,8A 750mW Montagem em superfície 8-SOIC |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | onsemi | |
Séries | - | |
Embalagem | Fita e carretel (TR) | |
Part Status | Obsoleto | |
Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) | |
Configuração | 2 canais P (duplo) | |
Característica FET | Porta de nível lógico | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 20V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 4,8A | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 33mOhm a 6,2A, 4,5V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 1,2V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 35nC a 4,5V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 1700pF a 16V | |
Potência - Máx. | 750mW | |
Temperatura de operação | - | |
Grau | Automotivo | |
Qualificação | AEC-Q101 | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Pacote / Invólucro | 8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm) | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 8-SOIC | |
Número base de produto |
Obsoleto
Brasil