Name: NVBG030N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVBG030N120M3STR-ND
Price: 25.2 USD
Availability: InStock

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NVBG030N120M3S
Número de produto da DigiKey	5556-NVBG030N120M3STR-ND - Fita e carretel (TR) 5556-NVBG030N120M3SCT-ND - Fita cortada (CT) 5556-NVBG030N120M3SDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NVBG030N120M3S
Descrição	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 77A (Tc) 348W (Tc) Montagem em superfície D2PAK-7
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	77A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	39mOhm a 30A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,4V a 15mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	107 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+22V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2430 pF @ 800 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	348W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	D2PAK-7
Pacote / Invólucro	TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA