NTTFS4C05NTWG onsemi | FET simples, MOSFETs

NTTFS4C05NTWG
Número de produto da DigiKey	488-NTTFS4C05NTWGTR-ND - Fita e carretel (TR) 488-NTTFS4C05NTWGCT-ND - Fita cortada (CT) 488-NTTFS4C05NTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTTFS4C05NTWG
Descrição	MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 12A (Ta), 75A (Tc) 820mW (Ta), 33W (Tc) Montagem em superfície 8-WDFN (3,3x3,3)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NTTFS4C05NTWG Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	12A (Ta), 75A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	3,6mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1988 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	820mW (Ta), 33W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-WDFN (3,3x3,3)
Pacote / Invólucro	PowerWDFN-8
Número base de produto	NTTFS4

Quantidade	Preço unitário	Preço total
5.000	$ 0,46927	$ 2.346,35
10.000	$ 0,44761	$ 4.476,10

NTTFS4C05NTWG