
NTTFD1D8N02P1E | |
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Número de produto da DigiKey | 488-NTTFD1D8N02P1E-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | NTTFD1D8N02P1E |
Descrição | MOSFET, POWER, 25V DUAL N-CHANNE |
Tempo de espera previsto do fabricante | 41 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 25V 11A (Ta), 21A (Ta) 800mW (Ta) 900mW (Tc) Montagem em superfície PQFN-8 (3,3x3,3) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Rds on (máx.) para Id, Vgs 4,2mOhm a 15A, 10V, 1,4mOhm a 29A, 10V |
Fabricante onsemi | Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 190µA, 2V a 310µA |
Séries | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 5,5nC a 4,5V, 17nC a 4,5V |
Embalagem Granel | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 873pF a 15V, 2700pF a 15V |
Part Status Ativo | Potência - Máx. 800mW (Ta) 900mW (Tc) |
Tecnologia MOSFET (óxido metálico) | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Configuração 2 canais N assimétricos (duplo) | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 25V | Pacote / Invólucro PowerWDFN-8 |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 11A (Ta), 21A (Ta) | Invólucro do dispositivo fornecido PQFN-8 (3,3x3,3) |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 2,25000 | $ 2,25 |
| 10 | $ 1,44000 | $ 14,40 |
| 100 | $ 0,97880 | $ 97,88 |
| 500 | $ 0,78140 | $ 390,70 |
| 1.000 | $ 0,71794 | $ 717,94 |
| 3.000 | $ 0,63738 | $ 1.912,14 |
| 6.000 | $ 0,61625 | $ 3.697,50 |


