NTS2101PT1 onsemi | Produtos semicondutores discretos

NTS2101PT1
Número de produto da DigiKey	NTS2101PT1-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTS2101PT1
Descrição	MOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 8 V 1,4A (Ta) 290mW (Ta) Montagem em superfície SC-70-3 (SOT323)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NTS2101PT1 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR)
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	8 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	1,4A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	100mOhm a 1A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	6.4 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	640 pF @ 8 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	290mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SC-70-3 (SOT323)
Pacote / Invólucro	SC-70, SOT-323
Número base de produto	NTS210

NTS2101PT1