NTR3A052PZT1G onsemi | Produtos semicondutores discretos

NTR3A052PZT1G está obsoleto e não é mais fabricado.

Substitutos disponíveis:

Direct

Diodes Incorporated

Em estoque: 14.452

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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

NTR3A052PZT1G
Número de produto da DigiKey	NTR3A052PZT1GOSTR-ND - Fita e carretel (TR) NTR3A052PZT1GOSCT-ND - Fita cortada (CT) NTR3A052PZT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTR3A052PZT1G
Descrição	MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 3,6A (Ta) 860mW (Ta) Montagem em superfície SOT-23-3 (TO-236)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NTR3A052PZT1G Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3,6A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,5V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	47mOhm a 3,5A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	11.9 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1243 pF @ 4 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	860mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / Invólucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número base de produto	NTR3A052