Name: NTMTSC4D2N10GTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC4D2N10GTXGTR-ND
Price: 7.65 USD
Availability: OutOfStock

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NTMTSC4D2N10GTXG
Número de produto da DigiKey	488-NTMTSC4D2N10GTXGTR-ND - Fita e carretel (TR) 488-NTMTSC4D2N10GTXGCT-ND - Fita cortada (CT) 488-NTMTSC4D2N10GTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTMTSC4D2N10GTXG
Descrição	100V MVSOA IN DFNW8(PQFN8X8) PAC
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 21A (Ta), 178A (Tc) 3,9W (Ta), 267W (Tc) Montagem em superfície, flanco impregnável 8-TDFNW (8,3x8,4)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 450µA
Fabricante onsemi	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 159 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 10450 pF @ 50 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 3,9W (Ta), 267W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície, flanco impregnável
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 21A (Ta), 178A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido 8-TDFNW (8,3x8,4)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 4,2mOhm a 88A, 10V