Name: NTE4153NT1G
Brand: onsemi
SKU: NTE4153NT1GOSTR-ND
Price: 0.42 USD
Availability: InStock

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NTE4153NT1G
Número de produto da DigiKey	NTE4153NT1GOSTR-ND - Fita e carretel (TR) NTE4153NT1GOSCT-ND - Fita cortada (CT) NTE4153NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTE4153NT1G
Descrição	MOSFET N-CH 20V 915MA SC89-3
Tempo de espera previsto do fabricante	19 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 20 V 915mA (Ta) 300mW (Tj) Montagem em superfície SC-89-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NTE4153NT1G Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	915mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,5V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	230mOhm a 600mA, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,1V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	1.82 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±6V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	110 pF @ 16 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	300mW (Tj)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SC-89-3
Pacote / Invólucro	SC-89, SOT-490
Número base de produto	NTE4153

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