NTBGS2D5N06C onsemi | Produtos semicondutores discretos

NTBGS2D5N06C
Número de produto da DigiKey	488-NTBGS2D5N06CTR-ND - Fita e carretel (TR) 488-NTBGS2D5N06CCT-ND - Fita cortada (CT) 488-NTBGS2D5N06CDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTBGS2D5N06C
Descrição	POWER MOSFET, 60 V, 2.5 M?, 224
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 27A (Ta), 169A (Tc) 3,7W (Ta), 136W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	27A (Ta), 169A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V, 12V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,5mOhm a 35A, 12V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 175µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	45.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3510 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,7W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro	TO-263-7, D2PAK (6 condutores + aba)

NTBGS2D5N06C