Name: NTBG040N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTBG040N120SC1TR-ND
Price: 22.24 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

NTBG040N120SC1
Número de produto da DigiKey	5556-NTBG040N120SC1TR-ND - Fita e carretel (TR) 5556-NTBG040N120SC1CT-ND - Fita cortada (CT) 5556-NTBG040N120SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	NTBG040N120SC1
Descrição	SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 60A (Tc) 357W (Tc) Montagem em superfície D2PAK-7
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	NTBG040N120SC1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	56mOhm a 35A, 20V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,3V a 10mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	106 nC @ 20 V
Vgs (máx.)	+25V, -15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1789 pF @ 800 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	357W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	D2PAK-7
Pacote / Invólucro	TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA
Número base de produto	NTBG040