Name: FQD1N80TM
Brand: onsemi
SKU: FQD1N80TMTR-ND
Price: 1.57 USD
Availability: InStock

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FQD1N80TM
Número de produto da DigiKey	FQD1N80TMTR-ND - Fita e carretel (TR) FQD1N80TMCT-ND - Fita cortada (CT) FQD1N80TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FQD1N80TM
Descrição	MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	8 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 800 V 1A (Tc) 2,5W (Ta), 45W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	QFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	800 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	20Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	7.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	195 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252AA
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	FQD1N80