Name: FQD11P06TM
Brand: onsemi
SKU: FQD11P06TMTR-ND
Price: 1.67 USD
Availability: InStock

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FQD11P06TM
Número de produto da DigiKey	FQD11P06TMTR-ND - Fita e carretel (TR) FQD11P06TMCT-ND - Fita cortada (CT) FQD11P06TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FQD11P06TM
Descrição	MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	8 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 60 V 9,4A (Tc) 2,5W (Ta), 38W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FQD11P06TM Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	QFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	9,4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	185mOhm a 4,7A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	550 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta), 38W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252AA
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	FQD11P06