Name: FQB4N80TM
Brand: onsemi
SKU: FQB4N80TMTR-ND
Price: 3.22 USD
Availability: InStock

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FQB4N80TM
Número de produto da DigiKey	FQB4N80TMTR-ND - Fita e carretel (TR) FQB4N80TMCT-ND - Fita cortada (CT) FQB4N80TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FQB4N80TM
Descrição	MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	13 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 800 V 3,9A (Tc) 3,13W (Ta), 130W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 5V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 25 nC @ 10 V
Séries QFET®	Vgs (máx.) ±30V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 880 pF @ 25 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3,13W (Ta), 130W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 800 V	Invólucro do dispositivo fornecido TO-263 (D2PAK)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 3,9A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto FQB4N80
Rds on (máx.) para Id, Vgs 3,6Ohm a 1,95A, 10V

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Em estoque: 823

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Quantidade

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Fita cortada (CT) & Digi-Reel®

* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.

Fita e carretel (TR)

Quantidade	Preço unitário	Preço total
800	$ 1,03448	$ 827,58
1.600	$ 0,96082	$ 1.537,31

Embalagem padrão do fabricante

FQB4N80TM