FDS6670A onsemi | Produtos semicondutores discretos

FDS6670A
Número de produto da DigiKey	FDS6670ATR-ND - Fita e carretel (TR) FDS6670ACT-ND - Fita cortada (CT) FDS6670ADKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDS6670A
Descrição	MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 13A (Ta) 2,5W (Ta) Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FDS6670A Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	PowerTrench®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	13A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	8mOhm a 13A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	30 nC @ 5 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2220 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 155°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOIC
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Número base de produto	FDS6670

Quantidade	Preço unitário	Preço total
2.500	$ 0,35412	$ 885,30
5.000	$ 0,35090	$ 1.754,50

FDS6670A