FDR8308P onsemi | Produtos semicondutores discretos

FDR8308P
Número de produto da DigiKey	FDR8308PTR-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDR8308P
Descrição	MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SUPERSOT-8
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 20V 3,2A 800mW Montagem em superfície SuperSOT™-8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FDR8308P Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	onsemi
Séries	PowerTrench®
Embalagem	Fita e carretel (TR)
Part Status	Obsoleto
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	2 canais P (duplo)
Característica FET	Porta de nível lógico
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3,2A
Rds on (máx.) para Id, Vgs	50mOhm a 3,2A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	19nC a 4,5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1240pF a 10V
Potência - Máx.	800mW
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	8-LSOP (largura 0,130", 3,30mm)
Invólucro do dispositivo fornecido	SuperSOT™-8
Número base de produto	FDR83

FDR8308P