Name: FDMS8622
Brand: onsemi
SKU: FDMS8622TR-ND
Price: 1.42 USD
Availability: InStock

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FDMS8622
Número de produto da DigiKey	FDMS8622TR-ND - Fita e carretel (TR) FDMS8622CT-ND - Fita cortada (CT) FDMS8622DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDMS8622
Descrição	MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 4,8A (Ta), 16,5A (Tc) 2,5W (Ta), 31W (Tc) Montagem em superfície PQFN-8 (5x6)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	PowerTrench®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	4,8A (Ta), 16,5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	56mOhm a 4,8A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	400 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PQFN-8 (5x6)
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	FDMS86