Name: FDMS86163P
Brand: onsemi
SKU: FDMS86163PTR-ND
Price: 3.72 USD
Availability: InStock

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FDMS86163P
Número de produto da DigiKey	FDMS86163PTR-ND - Fita e carretel (TR) FDMS86163PCT-ND - Fita cortada (CT) FDMS86163PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDMS86163P
Descrição	MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 100 V 7,9A (Ta), 50A (Tc) 2,5W (Ta), 104W (Tc) Montagem em superfície PQFN-8 (5x6)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FDMS86163P Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	PowerTrench®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	7,9A (Ta), 50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	22mOhm a 7,9A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	59 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4085 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	2,5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PQFN-8 (5x6)
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8
Número base de produto	FDMS86163