


FDI150N10 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | FDI150N10OS-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | FDI150N10 |
Descrição | MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK |
Tempo de espera previsto do fabricante | 22 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 100 V 57A (Tc) 110W (Tc) Furo passante TO-262 (I2PAK) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | FDI150N10 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 16mOhm a 49A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4,5V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 69 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 4760 pF @ 25 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 110W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Furo passante | |
Invólucro do dispositivo fornecido | TO-262 (I2PAK) | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 3,64000 | $ 3,64 |
| 50 | $ 1,83880 | $ 91,94 |
| 100 | $ 1,66410 | $ 166,41 |
| 500 | $ 1,35800 | $ 679,00 |
| 1.000 | $ 1,25967 | $ 1.259,67 |
| 2.000 | $ 1,19213 | $ 2.384,26 |



