Name: FDD86113LZ
Brand: onsemi
SKU: FDD86113LZFSTR-ND
Price: 1.95 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

FDD86113LZ
Número de produto da DigiKey	FDD86113LZFSTR-ND - Fita e carretel (TR) FDD86113LZFSCT-ND - Fita cortada (CT) FDD86113LZFSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDD86113LZ
Descrição	MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 4,2A (Ta), 5,5A (Tc) 3,1W (Ta), 29W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FDD86113LZ Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 6 nC @ 10 V
Séries PowerTrench®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 285 pF @ 50 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3,1W (Ta), 29W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 155°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido TO-252AA
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 4,2A (Ta), 5,5A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto FDD86113
Rds on (máx.) para Id, Vgs 104mOhm a 4,2A, 10V