FDD6676AS onsemi | Produtos semicondutores discretos

FDD6676AS
Número de produto da DigiKey	FDD6676AS-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDD6676AS
Descrição	MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 90A (Ta) 70W (Ta) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FDD6676AS Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	PowerTrench®
Embalagem	Fita e carretel (TR)
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	90A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	5,7mOhm a 16A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2500 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	70W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 155°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252AA
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	FDD667

FDD6676AS