FDD5N53TM_WS onsemi | Produtos semicondutores discretos

FDD5N53TM_WS
Número de produto da DigiKey	FDD5N53TM_WS-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDD5N53TM_WS
Descrição	MOSFET N-CH 530V 4A DPAK
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 530 V 4A (Tc) 40W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	UniFET™
Embalagem	Fita e carretel (TR)
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	530 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,5Ohm a 2A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	640 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	40W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252AA
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	FDD5

FDD5N53TM_WS