FDB3672-F085 onsemi | FET simples, MOSFETs

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FDB3672-F085
Número de produto da DigiKey	FDB3672-F085TR-ND - Fita e carretel (TR) FDB3672-F085CT-ND - Fita cortada (CT)
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDB3672-F085
Descrição	MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 7,2A (Ta), 44A (Tc) 120W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FDB3672-F085 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 31 nC @ 10 V
Fabricante onsemi	Vgs (máx.) ±20V
Séries PowerTrench®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1710 pF @ 25 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT)	Dissipação de potência (máx.) 120W (Tc)
Part Status Obsoleto	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 7,2A (Ta), 44A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido TO-263 (D2PAK)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Rds on (máx.) para Id, Vgs 28mOhm a 44A, 10V	Número base de produto FDB3672
Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA

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Classificação de exportação e ambiental

Recursos adicionais

Substitutos (6)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
NVMFS021N10MCLT1G	onsemi	2.537	488-NVMFS021N10MCLT1GCT-ND	$ 1,37000	Recomendado pelo fabricante
BUK9629-100B,118	Nexperia USA Inc.	85	1727-4716-1-ND	$ 2,60000	Similar
PHB47NQ10T,118	Nexperia USA Inc.	7.200	1727-4767-1-ND	$ 2,74000	Similar
PSMN034-100BS,118	Nexperia USA Inc.	1.233	1727-7211-1-ND	$ 2,18000	Similar
RSJ400N10TL	Rohm Semiconductor	0	RSJ400N10TLCT-ND	$ 5,12000	Similar

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