Name: FDB13AN06A0
Brand: onsemi
SKU: FDB13AN06A0TR-ND
Price: 3.12 USD
Availability: InStock

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FDB13AN06A0
Número de produto da DigiKey	FDB13AN06A0TR-ND - Fita e carretel (TR) FDB13AN06A0CT-ND - Fita cortada (CT) FDB13AN06A0DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDB13AN06A0
Descrição	MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	45 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 10,9A (Ta), 62A (Tc) 115W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 29 nC @ 10 V
Séries PowerTrench®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1350 pF @ 25 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 115W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Invólucro do dispositivo fornecido TO-263 (D2PAK)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 10,9A (Ta), 62A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Número base de produto FDB13AN06
Rds on (máx.) para Id, Vgs 13,5mOhm a 62A, 10V