Name: FDB0260N1007L
Brand: onsemi
SKU: FDB0260N1007LTR-ND
Price: 11.48 USD
Availability: InStock

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FDB0260N1007L
Número de produto da DigiKey	FDB0260N1007LTR-ND - Fita e carretel (TR) FDB0260N1007LCT-ND - Fita cortada (CT) FDB0260N1007LDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FDB0260N1007L
Descrição	MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 200A (Tc) 3,8W (Ta), 250W (Tc) Montagem em superfície TO-263-7
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 118 nC @ 10 V
Séries PowerTrench®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 8545 pF @ 50 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3,8W (Ta), 250W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido TO-263-7
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 200A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-263-7, D2PAK (6 condutores + aba)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto FDB0260
Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,6mOhm a 27A, 10V