FCP9N60N-F102 onsemi | Produtos semicondutores discretos

FCP9N60N-F102 está obsoleto e não é mais fabricado.

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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

FCP9N60N-F102
Número de produto da DigiKey	FCP9N60N-F102-ND
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FCP9N60N-F102
Descrição	MOSFET N-CHANNEL 600V 9A TO220F
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 9A (Tc) 83,3W (Tc) Furo passante TO-220F
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FCP9N60N-F102 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	385mOhm a 4,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1240 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	83,3W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-220F
Pacote / Invólucro	Pacote completo TO-220-3
Número base de produto	FCP9N60