Name: FCB110N65F
Brand: onsemi
SKU: FCB110N65FTR-ND
Price: 7.5 USD
Availability: InStock

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FCB110N65F
Número de produto da DigiKey	FCB110N65FTR-ND - Fita e carretel (TR) FCB110N65FCT-ND - Fita cortada (CT) FCB110N65FDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	FCB110N65F
Descrição	MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	13 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 35A (Tc) 357W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	FCB110N65F Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	onsemi
Séries	FRFET®, SuperFET® II
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	110mOhm a 17,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 3,5mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	145 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4895 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	357W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	FCB110