Name: AFGB40T65SQDN
Brand: onsemi
SKU: AFGB40T65SQDNOSTR-ND
Price: 6.57 USD
Availability: InStock

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AFGB40T65SQDN
Número de produto da DigiKey	AFGB40T65SQDNOSTR-ND - Fita e carretel (TR) AFGB40T65SQDNOSCT-ND - Fita cortada (CT) AFGB40T65SQDNOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de produto do fabricante	AFGB40T65SQDN
Descrição	IGBT 650V 80A TO-263
Tempo de espera previsto do fabricante	15 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	IGBT 650 V 80 A 238 W Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	AFGB40T65SQDN Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores IGBTs IGBTs individuais	Carga na porta 76 nC
Fabricante onsemi	Td (on/off) a 25°C 17,6ns/75,2ns
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Condição de teste 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Part Status Ativo	Tempo de recuperação reversa (trr) 131 ns
Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.) 650 V	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Corrente - Coletor (Ic) (máx.) 80 A	Grau Automotivo
Corrente - Pulsada do coletor (Icm) 160 A	Qualificação AEC-Q101
Vce(on) (máx.) para Vge, Ic 2,1V a 15V, 40A	Tipo de montagem Montagem em superfície
Potência - Máx. 238 W	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Energia de chaveamento 858µJ (lig), 229µJ (desl)	Invólucro do dispositivo fornecido TO-263 (D2PAK)
Tipo de entrada Padrão	Número base de produto AFGB40