PDTC114ET215 NXP Semiconductors | Produtos semicondutores discretos

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

PDTC114ET215
Número de produto da DigiKey	2156-PDTC114ET215-NXP-ND
Fabricante	NXP Semiconductors
Número de produto do fabricante	PDTC114ET215
Descrição	TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Transístor bipolar pré-polarizado (BJT) NPN - pré-polarizado 50 V 100 mA 230 MHz 250 mW Montagem em superfície SOT23-3 (TO-236)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores Bipolar (BJT) Transistores bipolares pré-polarizados, individuais
Fabricante	NXP Semiconductors
Séries	-
Embalagem	Granel
Part Status	Ativo
Tipo de transistor	NPN - pré-polarizado
Corrente - Coletor (Ic) (máx.)	100 mA
Tensão - Ruptura coletor emissor (máx.)	50 V
Resistores incluídos	R1 e R2
Resistor - Base (R1)	10 kOhms
Resistor - Emissor Base (R2)	10 kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (mín.) para Ic, Vce	30 a 5mA, 5V
Saturação Vce (máx.) para Ib, Ic	150mV a 500µA, 10mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)	1µA
Frequência - Transição	230 MHz
Potência - Máx.	250 mW
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Invólucro do dispositivo fornecido	SOT23-3 (TO-236)