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NH3T008MP120F2
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

NH3T008MP120F2

Número de produto da DigiKey
5140-NH3T008MP120F2-ND
Fabricante
Número de produto do fabricante
NH3T008MP120F2
Descrição
1200 V, 8 m SiC Half-Bridge Powe
Referência do cliente
Descrição detalhada
Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 200A (Tc) Montagem em chassis
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
NoMIS Power
Séries
Embalagem
Bandeja
Part Status
Ativo
Tecnologia
Carboneto de silício (SiC)
Configuração
2 canais N (meia ponte)
Característica FET
-
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200V (1,2kV)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
200A (Tc)
Vgs(th) (máx.) para Id
4V @ 100mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
530nC @ 20V
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em chassis
Pacote / Invólucro
Módulo
Invólucro do dispositivo fornecido
-
Perguntas e respostas sobre o produto

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Em estoque: 6
PRODUTO DO MERCADO
Será enviado em aproximadamente 5 dias pela NoMIS Power
Será aplicada separadamente uma taxa de frete fixa de $ 195,00
Todos os preços estão em USD
Bandeja
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 149,00000$ 149,00
Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.