Name: PSMN3R9-100YSFX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN3R9-100YSFXTR-ND
Price: 3.7 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

PSMN3R9-100YSFX
Número de produto da DigiKey	1727-PSMN3R9-100YSFXTR-ND - Fita e carretel (TR) 1727-PSMN3R9-100YSFXCT-ND - Fita cortada (CT) 1727-PSMN3R9-100YSFXDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de produto do fabricante	PSMN3R9-100YSFX
Descrição	MOSFET N-CH 100V 120A LFPAK56
Tempo de espera previsto do fabricante	13 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 120A (Tc) 245W (Tc) Montagem em superfície LFPAK56 ; Power-SO8
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	4,3mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	111 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	7360 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	245W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	LFPAK56 ; Power-SO8
Pacote / Invólucro	SOT-1023, 4-LFPAK
Número base de produto	PSMN3R9