Name: PSMN1R2-80CSEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R2-80CSEJTR-ND
Price: 9.03 USD
Availability: OutOfStock

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Nexperia USA Inc.

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PSMN1R2-80CSEJ
Número de produto da DigiKey	1727-PSMN1R2-80CSEJTR-ND - Fita e carretel (TR) 1727-PSMN1R2-80CSEJCT-ND - Fita cortada (CT) 1727-PSMN1R2-80CSEJDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de produto do fabricante	PSMN1R2-80CSEJ
Descrição	N-CHANNEL, 80 V, 1.18 MOHM, MOSF
Tempo de espera previsto do fabricante	13 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 375A (Ta) 935W (Tc) Montagem em superfície CCPAK1212i
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	375A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,18mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,6V a 1mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	350 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	26187 pF @ 40 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	935W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	CCPAK1212i
Pacote / Invólucro	12-BESOP (largura 0,370", 9,40mm), pad exposto