Name: PMV45EN2R
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-2307-2-ND
Price: 0.47 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

PMV45EN2R
Número de produto da DigiKey	1727-2307-2-ND - Fita e carretel (TR) 1727-2307-1-ND - Fita cortada (CT) 1727-2307-6-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de produto do fabricante	PMV45EN2R
Descrição	MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 4,1A (Ta) 510mW (Ta), 5W (Tc) Montagem em superfície TO-236AB
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	PMV45EN2R Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	4,1A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	42mOhm a 4,1A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	6.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	209 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	510mW (Ta), 5W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-236AB
Pacote / Invólucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número base de produto	PMV45EN2