PMPB20UN,115 NXP USA Inc. | FET simples, MOSFETs

PMPB20UN,115
Número de produto da DigiKey	568-10816-2-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	NXP USA Inc.
Número de produto do fabricante	PMPB20UN,115
Descrição	MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 20 V 6,6A (Ta) 1,7W (Ta), 12,5W (Tc) Montagem em superfície 6-DFN2020MD (2x2)
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	NXP USA Inc.
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR)
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	6,6A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	25mOhm a 6,6A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	7.1 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	460 pF @ 10 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,7W (Ta), 12,5W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	6-DFN2020MD (2x2)
Pacote / Invólucro	6-UDFN pad exposto
Número base de produto	PMPB2

PMPB20UN,115