PMN25ENEH Nexperia USA Inc. | FET simples, MOSFETs

PMN25ENEH
Número de produto da DigiKey	PMN25ENEH-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de produto do fabricante	PMN25ENEH
Descrição	MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 6,1A (Ta) 560mW (Ta), 6,25mW (Tc) Montagem em superfície 6-TSOP
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR)
Part Status	Descontinuado na DigiKey
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	6,1A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	24mOhm a 6,1A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	597 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	560mW (Ta), 6,25mW (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	6-TSOP
Pacote / Invólucro	SC-74, SOT-457
Número base de produto	PMN25

PMN25ENEH