Name: GANE3R9-150QBAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GANE3R9-150QBAZTR-ND
Price: 9.62 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

GANE3R9-150QBAZ
Número de produto da DigiKey	1727-GANE3R9-150QBAZTR-ND - Fita e carretel (TR) 1727-GANE3R9-150QBAZCT-ND - Fita cortada (CT) 1727-GANE3R9-150QBAZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de produto do fabricante	GANE3R9-150QBAZ
Descrição	GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
Tempo de espera previsto do fabricante	16 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 150 V 100A (Ta) 65W (Ta) Montagem em superfície 25-VQFN (4x6)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,1V a 12mA
Fabricante Nexperia USA Inc.	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 20 nC @ 5 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +6V, -4V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2200 pF @ 75 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 65W (Ta)
Tecnologia GaNFET (nitreto de gálio)	Temperatura de operação -40°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 150 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 100A (Ta)	Invólucro do dispositivo fornecido 25-VQFN (4x6)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V	Pacote / Invólucro PowerVFQFN-25
Rds on (máx.) para Id, Vgs 3,9mOhm a 30A, 5V