Name: GAN190-650FBEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN190-650FBEZTR-ND
Price: 5.71 USD
Availability: InStock

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GAN190-650FBEZ
Número de produto da DigiKey	1727-GAN190-650FBEZTR-ND - Fita e carretel (TR) 1727-GAN190-650FBEZCT-ND - Fita cortada (CT) 1727-GAN190-650FBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de produto do fabricante	GAN190-650FBEZ
Descrição	650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Tempo de espera previsto do fabricante	4 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 11,5A (Tc) 125W (Tc) Montagem em superfície, flanco impregnável DFN5060-5
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 12,2mA
Fabricante Nexperia USA Inc.	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 2.8 nC @ 6 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +7V, -1,4V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 96 pF @ 400 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 125W (Tc)
Tecnologia GaNFET (nitreto de gálio)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Tipo de montagem Montagem em superfície, flanco impregnável
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 11,5A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido DFN5060-5
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V	Pacote / Invólucro PowerVDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 190mOhm a 3,9A, 6V	Número base de produto GAN190