GAN063-650WSAQ Nexperia USA Inc. | FET simples, MOSFETs

GAN063-650WSAQ está obsoleto e não é mais fabricado.

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Nexperia USA Inc.

Em estoque: 176

Preço unitário : $ 14,89000

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GAN063-650WSAQ
Número de produto da DigiKey	1727-GAN063-650WSAQ-ND
Fabricante	Nexperia USA Inc.
Número de produto do fabricante	GAN063-650WSAQ
Descrição	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 34,5A (Tc) 143W (Tc) Furo passante TO-247-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	GAN063-650WSAQ Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4,5V a 1mA
Fabricante Nexperia USA Inc.	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 15 nC @ 10 V
Embalagem Tubo	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Obsoleto	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1000 pF @ 400 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 143W (Tc)
Tecnologia GaNFET (Cascode FET de nitreto de gálio)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Tipo de montagem Furo passante
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 34,5A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido TO-247-3
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro TO-247-3
Rds on (máx.) para Id, Vgs 60mOhm a 25A, 10V	Número base de produto GAN063